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"W4NXE8C-SD00" 와 일치 하는 합계

광전자 공학 W4NXE8C-SD00의데이터 시트

패키지 :

제조사 : Cree

발 명 :

부품 상세설명 : Diameter 76.2mm; select micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Diameter 76.2mm; select micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

온도 범위 : Min °C | Max °C

W4NXE8C-SD00 PDF


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